【CNMO科技动静】6月17日，CNMO科技从韩媒获悉，三星正于推进10纳米级第七代，即1d DRAM的量产预备事情。今朝，该公司正与多家供给商互助开发相干出产装备，规划最早在来岁第二季度引入这些装备。 1d DRAM的电路宽度约为10至11纳米。比拟之下，今朝已经商用的第六代1c DRAM的电路宽度约为11至12纳米。经由过程进一步缩小电路宽度，新一代DRAM将于机能及能效方面得到晋升。 此前市场曾经有预测称三星可能在本年启动1d DRAM的量产，但思量到相干焦点出产装备仍处在开发阶段，该方针被认为难以实现。业内阐发认为，思量到装备导入后的调试与量产预备周期，三星最早有望于来岁年末实现1d DRAM的早期量产。 半导体行业相干人士暗示，三星今朝正与重要互助伙伴踊跃举行研发，确保1d DRAM的良率与机能不变。虽然详细时间表可能随研发进度调解，但今朝的方针是于来岁第二或者第三季度导入量产装备。另外一位知恋人士则指出，1d DRAM是三星内部开发进度较快的工艺项目，估计相干规划将于本年年末进一步开阔爽朗。 三星的1d DRAM技能于将来的AI存储器营业中具备主要职位地方。按照计划，该技能估计将被采用为2029年商用的第九代高带宽内存，即HBM5E的焦点芯片载体。 版权所有，未经许可不患上转载
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